HP16N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HP16N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 173 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de HP16N10 MOSFET
HP16N10 Datasheet (PDF)
hp16n10 hf16n10.pdf

H P16N10,H F16N10100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,ValueParameter Symbol UnitTO220F TO-220Drain-Source Voltage (VGS = 0V) V
sihp16n50c sihb16n50c sihf16n50c.pdf

SiHP16N50C, SiHB16N50C, SiHF16N50Cwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x QgVDS (V) at TJ max. 560RDS(on) ()VGS = 10 V 0.38 100 % Avalanche TestedQg (Max.) (nC) 68 Gate Charge ImprovedQgs (nC) 17.6 Trr/Qrr ImprovedQgd (nC) 21.8Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220A
sihb16n50c sihf16n50c sihp16n50c.pdf

SiHP16N50C, SiHB16N50C, SiHF16N50Cwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x QgVDS (V) at TJ max. 560RDS(on) ()VGS = 10 V 0.38 100 % Avalanche TestedQg (Max.) (nC) 68 Gate Charge ImprovedQgs (nC) 17.6 Trr/Qrr ImprovedQgd (nC) 21.8Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220A
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History: RJK1028DSP | AP4527GN3 | AFN8968 | FIR20N50FG | IXFN22N120 | IXTL2X180N10T | ME78241S-G
History: RJK1028DSP | AP4527GN3 | AFN8968 | FIR20N50FG | IXFN22N120 | IXTL2X180N10T | ME78241S-G



Liste
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