HY0910V Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY0910V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.143 Ohm

Encapsulados: TO251

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HY0910V datasheet

 ..1. Size:2033K  hymexa
 hy0910d hy0910u hy0910v.pdf pdf_icon

HY0910V

S D S S G D D G G S D G TO-251-3L TO-251-3S TO-252-2L N-Channel MOSFET

Otros transistores... HY045N10P, HY045N10B, HY050N08C2, HY050N08P, HY050N08B, HY0810S, HY0910D, HY0910U, IRF9640, HY0C20C, HY10P10D, HY10P10U, HY1103S, HY1106S, HY1203S, HY1210D, HY1210U