HY10P10U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY10P10U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY10P10U

HY10P10U Datasheet (PDF)

..1. Size:2311K hymexa
hy10p10d hy10p10u.pdf

HY10P10D/UP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-10ARDS(ON)= 187m(typ.)@VGS = -10VRDS(ON)= 208m(typ.)@VGS = -4.5V 100% Avalanche TestedS Reliable and RuggedDG Halogen Free and Green Devices AvailableSD(RoHS Compliant)GTO-252-2L TO-251-3LApplications Power Management for Inverter SystemsP-Channel MOSFETOrdering a

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: