HY1106S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY1106S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 188 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY1106S
HY1106S Datasheet (PDF)
hy1106s.pdf
HY1106SN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60 / 11AVDD13RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10VDDRDS(ON)=13.5m (typ.) @ VGS=4.5VAvalanche RatedSSS Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8(RoHS Compliant)pplicationsAD Power Management in DC/DC ConverterG N-Channel MOSFETSOrdering and Marki
hy110n06t.pdf
SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY110N06T 55V / 110A55V, RDS(ON)=5.5mW@VGS=10V, ID=30AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (
hy1103s.pdf
HY1103SN-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/11ARDS(ON)=9.5m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)=11.5m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) SOP8LApplications Switching Application Power Management for DC/DC Battery ProtectionN-Channel MOSFET Ordering and Marking
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