HY1310D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY1310D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 54 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 33 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 90 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY1310D
HY1310D Datasheet (PDF)
hy1310d hy1310u hy1310v.pdf
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HY1310D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100 V/ 33 A,RDS(ON)=19.5 m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=20.5m(typ.) @ VGS=4.5V Avalanche RatedSS Reliable and RuggedDDGG Lead Free and Green Devices AvailableS(RoHS Compliant) DGTO-251-3L TO-251-3STO-252-2LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Ch
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