HY1310U Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY1310U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TO251

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HY1310U datasheet

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HY1310U

HY1310D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 100 V/ 33 A, RDS(ON)=19.5 m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=20.5m (typ.) @ VGS=4.5V Avalanche Rated S S Reliable and Rugged D D G G Lead Free and Green Devices Available S (RoHS Compliant) D G TO-251-3L TO-251-3S TO-252-2L Applications Power Management for Inverter Systems. N-Ch

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