HY1310U Todos los transistores

 

HY1310U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1310U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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HY1310U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  hymexa
 hy1310d hy1310u hy1310v.pdf pdf_icon

HY1310U

HY1310D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100 V/ 33 A,RDS(ON)=19.5 m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=20.5m(typ.) @ VGS=4.5V Avalanche RatedSS Reliable and RuggedDDGG Lead Free and Green Devices AvailableS(RoHS Compliant) DGTO-251-3L TO-251-3STO-252-2LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Ch

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History: IXTK75N30 | IRF7484Q | IXTY1N80 | SM3106NSU | BSC072N04LD | IXFT70N15 | OSG60R055TT3F

 

 
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