HY1503C1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY1503C1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 17.8 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 34 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 14.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 12.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY1503C1

HY1503C1 Datasheet (PDF)

..1. Size:673K hymexa
hy1503c1.pdf

HY1503C1 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D 30V/34A RDS(ON)= 7.1m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 10.0 m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S Halogen Free and Green Devices Available Pin1 (RoHS Compliant) DFN3*3-8L Applications Switching Application Power Management for DC/D

9.1. Size:424K 1
hy1506c2.pdf

HY1506C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/48AD D D D D D D DRDS(ON)= 10.5m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 12.2m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8LApplications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

9.2. Size:225K hy
hy150n075t.pdf

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY150N075T 75V / 150A75V, RDS(ON)=4.5mW@VGS=10V, ID=30AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product

9.3. Size:424K hymexa
hy1506c2.pdf

9.4. Size:580K hymexa
hy1506.pdf

HY1506P/I/BAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 C IS Diode Continuous Forward Current TC=25C 55 A Mounted on Large Heat Sink IDM TC=25C 220** A Pulsed Drain C

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: