HY1506C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY1506C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK5X6-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY1506C2

HY1506C2 Datasheet (PDF)

..1. Size:424K 1
hy1506c2.pdf

HY1506C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/48AD D D D D D D DRDS(ON)= 10.5m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 12.2m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8LApplications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

..2. Size:424K hymexa
hy1506c2.pdf

8.1. Size:580K hymexa
hy1506.pdf

HY1506P/I/BAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 C IS Diode Continuous Forward Current TC=25C 55 A Mounted on Large Heat Sink IDM TC=25C 220** A Pulsed Drain C

9.1. Size:225K hy
hy150n075t.pdf

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY150N075T 75V / 150A75V, RDS(ON)=4.5mW@VGS=10V, ID=30AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product

9.2. Size:673K hymexa
hy1503c1.pdf

HY1503C1 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D 30V/34A RDS(ON)= 7.1m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 10.0 m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S Halogen Free and Green Devices Available Pin1 (RoHS Compliant) DFN3*3-8L Applications Switching Application Power Management for DC/D

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Liste

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