HY15P03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY15P03S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 461 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de HY15P03S MOSFET
HY15P03S Datasheet (PDF)
hy15p03s.pdf
HY15P03SP -Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30 / -15AVDD6.6mRDS(ON)= (typ.) @ VGS=-10VDD8.2mRDS(ON)= (typ.) @ VGS=-4.5VAvalanche Rated SSS Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8(RoHS Compliant)pplicationsA Power Management in DC/DC ConverterP-Channel MOSFETOrdering and Mark
hy15p03c2.pdf
HY15P03C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D D D D D D -30V/-60ARDS(ON)= 4.8m(typ.) @VGS =-10VRDS(ON)= 6.8m(typ.) @VGS =-4.5V Reliable and Rugged Halogen Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Networking DC-DC Powe
hy15p03c2.pdf
HY15P03C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D D D D D D -30V/-60ARDS(ON)= 4.8m(typ.) @VGS =-10VRDS(ON)= 6.8m(typ.) @VGS =-4.5V Reliable and Rugged Halogen Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Networking DC-DC Powe
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History: 15N65G-TQ2-T | AF2301PWL | UTT25P06 | STP36NF06L | SLD80R850SJ | 12N70KG-TQ2-R | AP95T06GS
History: 15N65G-TQ2-T | AF2301PWL | UTT25P06 | STP36NF06L | SLD80R850SJ | 12N70KG-TQ2-R | AP95T06GS
Liste
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