HY15P03S Todos los transistores

 

HY15P03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY15P03S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 461 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

HY15P03S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4735K  hymexa
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HY15P03S

HY15P03SP -Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30 / -15AVDD6.6mRDS(ON)= (typ.) @ VGS=-10VDD8.2mRDS(ON)= (typ.) @ VGS=-4.5VAvalanche Rated SSS Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8(RoHS Compliant)pplicationsA Power Management in DC/DC ConverterP-Channel MOSFETOrdering and Mark

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HY15P03S

HY15P03C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D D D D D D -30V/-60ARDS(ON)= 4.8m(typ.) @VGS =-10VRDS(ON)= 6.8m(typ.) @VGS =-4.5V Reliable and Rugged Halogen Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Networking DC-DC Powe

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HY15P03S

HY15P03C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D D D D D D -30V/-60ARDS(ON)= 4.8m(typ.) @VGS =-10VRDS(ON)= 6.8m(typ.) @VGS =-4.5V Reliable and Rugged Halogen Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Networking DC-DC Powe

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History: MRF5003 | 4N65KG-T60-K | STP5N62K3 | IRFR120TR | RQK0608BQDQS | AONS36316

 

 
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