HY1710B Todos los transistores

 

HY1710B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1710B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 94 nC
   Tiempo de subida (tr): 23 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 273 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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HY1710B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1249K  hymexa
hy1710p hy1710m hy1710b hy1710mf hy1710ps hy1710pm.pdf

HY1710B HY1710B

HY1710P/M/B/MF/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 100V/70ARDS(ON)= 15m(typ.)@VGS = 10VSDG 100% Avalanche Tested SDG Reliable and RuggedSDG Lead- Free Devices AvailableTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3S(RoHS Compliant)Applications SD Switching applicationGSSD Power management for inverter systems DGGTO-220M

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
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