HY1720P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY1720P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 263 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 338 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: TO220

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HY1720P datasheet

 ..1. Size:1397K  hymexa
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HY1720P

HY1720P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 200V/64A RDS(ON)=27m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

Otros transistores... HY1607PS, HY1607PM, HY1710P, HY1710M, HY1710B, HY1710MF, HY1710PS, HY1710PM, 2N7002, HY1720B, HY1803C2, HY1804D, HY1804V, HY1804P, HY1804B, HY1904C2, HY1904D