Справочник MOSFET. HY1720P

 

HY1720P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1720P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 101 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 338 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1720P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1397K  hymexa
 hy1720p hy1720b.pdf pdf_icon

HY1720P

HY1720P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 200V/64ARDS(ON)=27m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code

Другие MOSFET... HY1607PS , HY1607PM , HY1710P , HY1710M , HY1710B , HY1710MF , HY1710PS , HY1710PM , K4145 , HY1720B , HY1803C2 , HY1804D , HY1804V , HY1804P , HY1804B , HY1904C2 , HY1904D .

 

 
Back to Top

 


 
.