HY1804B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY1804B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 23 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 406.3 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY1804B

HY1804B Datasheet (PDF)

..1. Size:911K hymexa
hy1804p hy1804b.pdf

HY1804P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 40V/110ARDS(ON)= 3.6m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 4.4m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedSGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MO

8.1. Size:1499K hymexa
hy1804d hy1804v.pdf

HY1804D/UN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 40V/80A,RDS(ON)=4.0 m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=4.6 m(typ.) @ VGS=4.5 VSSD SD S Avalanche RatedG D G DG G Reliable and RuggedSSD DG Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Switching Application Pow

9.1. Size:6123K 1
hy1808ap hy1808m hy1808b hy1808ps hy1808pm.pdf

HY1808AP/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptioneaturesF 80V/84ARDS(ON)=6.2m (typ.) @ VGS=10VSAvalanche Rated DSD GGReliable and Rugged SDGLead Free and Green Devices Available TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3S(RoHS Compliant)SDGSDGApplicationsTO-3PS-3L TO-3PS-3MD Power Management for Inverter Systems.G N-Channe

9.2. Size:1648K 1
hy1803c2.pdf

HY1803C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/80AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.8m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

9.3. Size:1648K hymexa
hy1803c2.pdf

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