Справочник MOSFET. HY1804B

 

HY1804B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1804B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 406.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HY1804B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1804B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  hymexa
hy1804p hy1804b.pdfpdf_icon

HY1804B

HY1804P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 40V/110ARDS(ON)= 3.6m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 4.4m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedSGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MO

 8.1. Size:1499K  hymexa
hy1804d hy1804v.pdfpdf_icon

HY1804B

HY1804D/UN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 40V/80A,RDS(ON)=4.0 m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=4.6 m(typ.) @ VGS=4.5 VSSD SD S Avalanche RatedG D G DG G Reliable and RuggedSSD DG Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Switching Application Pow

 9.1. Size:6123K  1
hy1808ap hy1808m hy1808b hy1808ps hy1808pm.pdfpdf_icon

HY1804B

HY1808AP/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptioneaturesF 80V/84ARDS(ON)=6.2m (typ.) @ VGS=10VSAvalanche Rated DSD GGReliable and Rugged SDGLead Free and Green Devices Available TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3S(RoHS Compliant)SDGSDGApplicationsTO-3PS-3L TO-3PS-3MD Power Management for Inverter Systems.G N-Channe

 9.2. Size:1648K  1
hy1803c2.pdfpdf_icon

HY1804B

HY1803C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/80AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.8m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

Другие MOSFET... HY1710PS , HY1710PM , HY1720P , HY1720B , HY1803C2 , HY1804D , HY1804V , HY1804P , 8205A , HY1904C2 , HY1904D , HY1904U , HY1904V , HY1908D , HY1908U , HY1908S , HY1908P .

History: SVT044R5NT | ME6874-G | HMS75N65T | CEP14A04 | CHM5813ESQ2GP | 2SK1280

 

 
Back to Top

 


 
.