HY1804B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1804B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 406.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HY1804B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1804B даташит

 ..1. Size:911K  hymexa
 hy1804p hy1804b.pdf pdf_icon

HY1804B

HY1804P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/110A RDS(ON)= 3.6m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 4.4m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged S GD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GDS TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DC N-Channel MO

 8.1. Size:1499K  hymexa
 hy1804d hy1804v.pdf pdf_icon

HY1804B

HY1804D/U N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 40V/80A, RDS(ON)=4.0 m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=4.6 m (typ.) @ VGS=4.5 V S S D S D S Avalanche Rated G D G D G G Reliable and Rugged S S D D G Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching Application Pow

 9.1. Size:6123K  1
 hy1808ap hy1808m hy1808b hy1808ps hy1808pm.pdf pdf_icon

HY1804B

HY1808AP/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description eatures F 80V/84A RDS(ON)=6.2m (typ.) @ VGS=10V S Avalanche Rated D S D G G Reliable and Rugged S D G Lead Free and Green Devices Available TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3S (RoHS Compliant) S D G S D G Applications TO-3PS-3L TO-3PS-3M D Power Management for Inverter Systems. G N-Channe

 9.2. Size:1648K  1
 hy1803c2.pdf pdf_icon

HY1804B

HY1803C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/80A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.4m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.8m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DC N-Channel MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HY1710PS, HY1710PM, HY1720P, HY1720B, HY1803C2, HY1804D, HY1804V, HY1804P, IRFP260, HY1904C2, HY1904D, HY1904U, HY1904V, HY1908D, HY1908U, HY1908S, HY1908P