HY19P03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY19P03D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 90 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 461 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY19P03D
HY19P03D Datasheet (PDF)
hy19p03d hy19p03u hy19p03v.pdf
HY19P03 D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -30V/-90A RDS(ON)= 4.8m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 6.5m(typ.)@VGS = 4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DC converter. P-Channel MOSFET Ordering a
hy19p03p hy19p03b.pdf
HY19P03P/BP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description -30V/-90ARDS(ON)= 4.7m(typ.)@VGS =-10VRDS(ON)= 6.5m(typ.)@VGS =-4.5VSGD 100% avalanche tested Reliable and RuggedGDS Lead Free and Green Devices AvailableTO-220FB-3L TO-263-2L (RoHS Compliant)Applications Switching Application Power Management for DC/DCP-Channel MOSFETOrdering
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