HY3312M Todos los transistores

 

HY3312M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY3312M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 125 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HY3312M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  hymexa
 hy3312p hy3312m hy3312b hy3312ps hy3312pm.pdf pdf_icon

HY3312M

HY3312P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 125V/130ARDS(ON)= 7.7 m(typ.) @ VGS=10VSD 100% avalanche testedGSD G Reliable and Rugged SDG Lead Free and Green Devices AvailableTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L(RoHS Compliant)SDGSDpplications GATO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application

Otros transistores... HY3208APS , HY3208APM , HY3215P , HY3215M , HY3215B , HY3215PS , HY3215PM , HY3312P , IRF1405 , HY3312B , HY3312PS , HY3312PM , HY3403P , HY3403B , HY3503C2 , HY3606P , HY3606B .

History: IXTH75N10L2 | ELM57800GA | BUK95180-100A | SWP70N10V | WFD5N60C | ME4920 | RQK0302GGDQS

 

 
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