Справочник MOSFET. HY3312M

 

HY3312M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY3312M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 125 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HY3312M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3312M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  hymexa
 hy3312p hy3312m hy3312b hy3312ps hy3312pm.pdf pdf_icon

HY3312M

HY3312P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 125V/130ARDS(ON)= 7.7 m(typ.) @ VGS=10VSD 100% avalanche testedGSD G Reliable and Rugged SDG Lead Free and Green Devices AvailableTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L(RoHS Compliant)SDGSDpplications GATO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application

Другие MOSFET... HY3208APS , HY3208APM , HY3215P , HY3215M , HY3215B , HY3215PS , HY3215PM , HY3312P , IRF1405 , HY3312B , HY3312PS , HY3312PM , HY3403P , HY3403B , HY3503C2 , HY3606P , HY3606B .

History: CHM730GPAGP | H7N1005LD | BSC035N04LSG | FDS6680S | IXTK62N25 | ZXM64N035L3 | STN4260

 

 
Back to Top

 


 
.