HY3312M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY3312M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 278 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 125 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 130 nC
Время нарастания (tr): 39 ns
Выходная емкость (Cd): 940 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO220
HY3312M Datasheet (PDF)
..1. Size:910K hymexa
hy3312p hy3312m hy3312b hy3312ps hy3312pm.pdf
hy3312p hy3312m hy3312b hy3312ps hy3312pm.pdf
HY3312P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 125V/130ARDS(ON)= 7.7 m(typ.) @ VGS=10VSD 100% avalanche testedGSD G Reliable and Rugged SDG Lead Free and Green Devices AvailableTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L(RoHS Compliant)SDGSDpplications GATO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
