HY3712PS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY3712PS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 339 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 125 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de HY3712PS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HY3712PS datasheet

 ..1. Size:1051K  hymexa
 hy3712p hy3712m hy3712b hy3712ps hy3712pm.pdf pdf_icon

HY3712PS

HY3712P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET F eatures Pin Description 125V/170A RDS(ON)= 6.3 m (typ.) @ VGS=10V S D G 100% avalanche tested S D G S Reliable and Rugged D G TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S S D D G G TO-220MF-3L TO-3PS-3L TO-3PM-3S pplications A Switchi

Otros transistores... HY3708P, HY3708M, HY3708B, HY3708PS, HY3708PM, HY3712P, HY3712M, HY3712B, 20N60, HY3712PM, HY3906W, HY3906A, HY3912W, HY3912A, HY4004P, HY4004B, HY4008B6