HY3712PS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HY3712PS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 339 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 125 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для HY3712PS
HY3712PS Datasheet (PDF)
hy3712p hy3712m hy3712b hy3712ps hy3712pm.pdf

HY3712P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 125V/170ARDS(ON)= 6.3 m(typ.) @ VGS=10VSDG 100% avalanche tested SDGS Reliable and Rugged DGTO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSSDDGGTO-220MF-3L TO-3PS-3L TO-3PM-3SpplicationsASwitchi
Другие MOSFET... HY3708P , HY3708M , HY3708B , HY3708PS , HY3708PM , HY3712P , HY3712M , HY3712B , IRF840 , HY3712PM , HY3906W , HY3906A , HY3912W , HY3912A , HY4004P , HY4004B , HY4008B6 .
History: HY4004P | CEB75A3 | RQ5E030AJ | BUK7Y53-100B
History: HY4004P | CEB75A3 | RQ5E030AJ | BUK7Y53-100B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n