HY3906W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY3906W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 283 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 190 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 135 nC
   Tiempo de subida (tr): 18 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1014 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY3906W

HY3906W Datasheet (PDF)

..1. Size:717K hymexa
hy3906w hy3906a.pdf

HY3906W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 2.6 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDDGG(RoHS Compliant)TO-247A-3LTO-3P-3LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Mar

8.1. Size:534K hymexa
hy3906p hy3906b.pdf

HY3906P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.2 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche testedSD Reliable and Rugged GSD Lead Free and Green Devices AvailableG(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Mar

8.2. Size:3645K hymexa
hy3906p-b.pdf

HY3906P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching applicationG N-Channel MOSFET Power Management for Inverter Systems.S

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Liste

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