HY4504B6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY4504B6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 322 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1753 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: TO263-6L

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HY4504B6 datasheet

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HY4504B6

HY4504B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 40V/322A RDS(ON)= 1.5m (typ.) @VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Switch application Brushless Motor Drive Pin1 DC-DC Electric Power Steering Pin2,3,5,6,7

 7.1. Size:789K  hymexa
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HY4504B6

HY4504P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 40V/250A RDS(ON)= 2.3 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available GD (RoHS Compliant) S GD TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DC N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Pa

 8.1. Size:631K  hymexa
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HY4504B6

HY4504W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 40V/250A 2.0 m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)= Avalanche Rated Reliable and Rugged Halogen Free and Green DevicesAvailable (RoHS Compliant) S S S D D D G G Applications Power Management for Inverter Systems. Ordering and Marking Information Package C

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