HY4504B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY4504B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 288 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1863 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY4504B

HY4504B Datasheet (PDF)

..1. Size:789K hymexa
hy4504p hy4504b.pdf

HY4504P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/250ARDS(ON)= 2.3 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices Available GD(RoHS Compliant)SGDTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPa

0.1. Size:1329K hymexa
hy4504b6.pdf

HY4504B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 40V/322ARDS(ON)= 1.5m(typ.) @VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Switch application Brushless Motor Drive Pin1 DC-DC Electric Power Steering Pin2,3,5,6,7

8.1. Size:631K hymexa
hy4504w hy4504a.pdf

HY4504W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/250A2.0 m (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)= Avalanche Rated Reliable and Rugged Halogen Free and Green DevicesAvailable(RoHS Compliant)SSSDDDGG Applications Power Management for Inverter Systems. Ordering and Marking InformationPackage C

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: