HY4504B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY4504B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 288 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 250 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 195 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 1863 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.003 Ohm
Тип корпуса: TO263
HY4504B Datasheet (PDF)
hy4504p hy4504b.pdf
HY4504P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/250ARDS(ON)= 2.3 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices Available GD(RoHS Compliant)SGDTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPa
hy4504b6.pdf
HY4504B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 40V/322ARDS(ON)= 1.5m(typ.) @VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Switch application Brushless Motor Drive Pin1 DC-DC Electric Power Steering Pin2,3,5,6,7
hy4504w hy4504a.pdf
HY4504W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/250A2.0 m (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)= Avalanche Rated Reliable and Rugged Halogen Free and Green DevicesAvailable(RoHS Compliant)SSSDDDGG Applications Power Management for Inverter Systems. Ordering and Marking InformationPackage C
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
