HYG032N03LR1C1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HYG032N03LR1C1
   Código: G032N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 23 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 55 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 61 nC
   Tiempo de subida (tr): 50 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 332 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HYG032N03LR1C1

HYG032N03LR1C1 Datasheet (PDF)

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hyg032n03lr1c1.pdf

HYG032N03LR1C1 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 30V/55A RDS(ON)= 3.3m(typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 4.3 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged S S S G G S S S Halogen Free and Green Devices Available Pin1 (RoHS Compliant) DFN3*3-8L Applications Power Management for DC/DC

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HYG035N02KA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 20V/95A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.6 m (typ.) @VGS = 4.5V RDS(ON)= 3.1 m (typ.) @VGS = 2.5V RDS(ON)= 4.4 m (typ.) @VGS = 1.8V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S S S S G Halogen- Free Devices Available Pin1 PDFN8L(5x6) Applications S

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hyg035n06ls1c2.pdf

HYG035N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 65V/90AD D D DD D D DRDS(ON)= 2.9m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect board Motor drive for electric

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