HYG082N03LR1C1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HYG082N03LR1C1
   Código: G082N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 21.4 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 32 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 14.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 108 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L

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HYG082N03LR1C1 Datasheet (PDF)

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hyg082n03lr1c1.pdf

HYG082N03LR1C1 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 30V/32A RDS(ON)= 7.0m(typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 10.5 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged S S S G G S S S Halogen Free and Green Devices Available Pin1 (RoHS Compliant) DFN3*3-8L Applications Power Management for DC/DC

9.1. Size:894K hymexa
hyg080n10ls1d.pdf

HYG080N10LS1D Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/62A RDS(ON)= 7.6m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 11.1m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Single N-Channel MOSF

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Liste

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