HYG082N03LR1C1 Todos los transistores

 

HYG082N03LR1C1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HYG082N03LR1C1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

HYG082N03LR1C1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  hymexa
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HYG082N03LR1C1

HYG082N03LR1C1 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 30V/32A RDS(ON)= 7.0m(typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 10.5 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged S S S G G S S S Halogen Free and Green Devices Available Pin1 (RoHS Compliant) DFN3*3-8L Applications Power Management for DC/DC

 9.1. Size:894K  hymexa
 hyg080n10ls1d.pdf pdf_icon

HYG082N03LR1C1

HYG080N10LS1D Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/62A RDS(ON)= 7.6m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 11.1m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Single N-Channel MOSF

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRFR120ATM | SSF11NS70UF | HF10N60 | SI4368DY | GP2302 | IRFB3006GPBF | SWK15N04V

 

 
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