HYG210P06LQ1U Todos los transistores

 

HYG210P06LQ1U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HYG210P06LQ1U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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HYG210P06LQ1U Datasheet (PDF)

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 hyg210p06lq1d hyg210p06lq1u hyg210p06lq1v.pdf pdf_icon

HYG210P06LQ1U

HYG210P06LQ1 D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -60V/-40ARDS(ON)= 19m(typ.) @VGS = -10VRDS(ON)= 25m(typ.) @VGS = -4.5VSD SG 100% avalanche tested D G Reliable and RuggedSD G Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DCP-Channe

Otros transistores... HYG068N08NR1P , HYG080N10LS1D , HYG082N03LR1C1 , HYG092N10LS1C2 , HYG110P04LQ2D , HYG110P04LQ2U , HYG110P04LQ2V , HYG210P06LQ1D , IRF730 , HYG210P06LQ1V , HYG400P10LR1D , HYG400P10LR1U , HYG400P10LR1V , HYG800P10LR1D , HYG800P10LR1U , HYG800P10LR1V , HSD4N65 .

History: SSP80R240S | SSP65R130S2 | RU6050L | SWP630D | IRFB4115GPBF | SIR871DP | SI4848DY-T1

 

 
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