HYG210P06LQ1U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HYG210P06LQ1U
Маркировка: G210P06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 123 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для HYG210P06LQ1U
HYG210P06LQ1U Datasheet (PDF)
hyg210p06lq1d hyg210p06lq1u hyg210p06lq1v.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HYG210P06LQ1 D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -60V/-40ARDS(ON)= 19m(typ.) @VGS = -10VRDS(ON)= 25m(typ.) @VGS = -4.5VSD SG 100% avalanche tested D G Reliable and RuggedSD G Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DCP-Channe
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .