HYG210P06LQ1U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG210P06LQ1U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HYG210P06LQ1U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG210P06LQ1U даташит

 ..1. Size:1367K  hymexa
 hyg210p06lq1d hyg210p06lq1u hyg210p06lq1v.pdf pdf_icon

HYG210P06LQ1U

HYG210P06LQ1 D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -60V/-40A RDS(ON)= 19m (typ.) @VGS = -10V RDS(ON)= 25m (typ.) @VGS = -4.5V S D S G 100% avalanche tested D G Reliable and Rugged S D G Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DC P-Channe

Другие IGBT... HYG068N08NR1P, HYG080N10LS1D, HYG082N03LR1C1, HYG092N10LS1C2, HYG110P04LQ2D, HYG110P04LQ2U, HYG110P04LQ2V, HYG210P06LQ1D, IRFB31N20D, HYG210P06LQ1V, HYG400P10LR1D, HYG400P10LR1U, HYG400P10LR1V, HYG800P10LR1D, HYG800P10LR1U, HYG800P10LR1V, HSD4N65