HYG800P10LR1U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HYG800P10LR1U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 111 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm

Encapsulados: TO251

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HYG800P10LR1U datasheet

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HYG800P10LR1U

HYG800P10LR1D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -100V/-20A RDS(ON)= 77m (typ.) @ VGS = -10V RDS(ON)= 86m (typ.) @ VGS = -4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DC converter. Load switching. P-Chann

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