HYG800P10LR1U - аналоги и даташиты транзистора

 

HYG800P10LR1U - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HYG800P10LR1U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG800P10LR1U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1474K  hymexa
 hyg800p10lr1d hyg800p10lr1u hyg800p10lr1v.pdf pdf_icon

HYG800P10LR1U

HYG800P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-20ARDS(ON)= 77m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 86m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Power Management in DC/DC converter. Load switching.P-Chann

Другие MOSFET... HYG110P04LQ2V , HYG210P06LQ1D , HYG210P06LQ1U , HYG210P06LQ1V , HYG400P10LR1D , HYG400P10LR1U , HYG400P10LR1V , HYG800P10LR1D , IRF1405 , HYG800P10LR1V , HSD4N65 , HSU4N65 , HSP4N65 , HSF4N65 , HSBA0048 , HSBA0139 , HSBA060N10 .

History: IRF6609

 

 
Back to Top

 


 
.