HYG800P10LR1U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HYG800P10LR1U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для HYG800P10LR1U
HYG800P10LR1U Datasheet (PDF)
hyg800p10lr1d hyg800p10lr1u hyg800p10lr1v.pdf

HYG800P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-20ARDS(ON)= 77m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 86m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Power Management in DC/DC converter. Load switching.P-Chann
Другие MOSFET... HYG110P04LQ2V , HYG210P06LQ1D , HYG210P06LQ1U , HYG210P06LQ1V , HYG400P10LR1D , HYG400P10LR1U , HYG400P10LR1V , HYG800P10LR1D , IRF1405 , HYG800P10LR1V , HSD4N65 , HSU4N65 , HSP4N65 , HSF4N65 , HSBA0048 , HSBA0139 , HSBA060N10 .
History: FQB10N60CTM | ELM34416AA | HYG060P04LQ1U | RQ5E040TN
History: FQB10N60CTM | ELM34416AA | HYG060P04LQ1U | RQ5E040TN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor