HSP4N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSP4N65
Código: 4N65CF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 102 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 54 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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HSP4N65 Datasheet (PDF)
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HS4N65 650V 4A N-Channel Planar MOSFET FEATURES General Description RDSON3.0 @Vgs=10V, Id=2A HS4N65 is Fortunatus high voltage MOSFET family based on Ultra Low gate Charge(typical 13 nC) advanced planar stripe DMOS technology. This advanced Low Crss (typical 5pF) MOSFET family has optimized on-state resistance, and also Fast switching capability provides s
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