SSS80N06A Todos los transistores

 

SSS80N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSS80N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de SSS80N06A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSS80N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  1
sss80n06a.pdf pdf_icon

SSS80N06A

Otros transistores... SSS6N55 , SSS6N60 , SSS6N70A , SSS6N80A , SSS6N90A , SSS70N10A , SSS7N60A , SSS7N80A , IRLB4132 , SSU1N50 , SSU1N50A , SSU1N60A , SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A .

 

 
Back to Top

 


SSS80N06A
  SSS80N06A
  SSS80N06A
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AGMS5N50D | AGML315ME | AGMH70N90H | AGMH70N90C | AGMH70N70D | AGMH70N70C | AGMH614H | AGMH614D | AGMH614C | AGMH612D | AGMH6080H | AGMH606H | AGMH606C | AGMH605C | AGMH403A1 | AGM308MBP

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918

 


 
.