SSS80N06A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSS80N06A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 153 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1220 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Другие MOSFET... SSS6N55 , SSS6N60 , SSS6N70A , SSS6N80A , SSS6N90A , SSS70N10A , SSS7N60A , SSS7N80A , SPP20N60C3 , SSU1N50 , SSU1N50A , SSU1N60A , SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918