HSCS2050 Todos los transistores

 

HSCS2050 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSCS2050
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.8 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP
 

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HSCS2050 Datasheet (PDF)

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HSCS2050

HSCS2050 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Features 2.5V Drive VSSS RSS(ON) Max IS Max Common-drain type 36.0m@ 4.5V Typical ESD Protection HBM Class 2 38.0m@ 4.0V 20V 6A 48.0m@ 3.1V 55.0m@ 2.5V WLCSP Package Dimensions Electrical Connection Taping Type: T/R Absolute Maximum Ratings (TA=25) Package :CSP JEITA, J

 7.1. Size:861K  huashuo
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HSCS2050

HSCS2052 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Features 2.5V Drive VSSS RSS(ON) Max IS Max Common-drain type 45.0m@ 4.5V ESD Protection 48.0m@ 4.0V 24V 6A 57.0m@ 3.1V 70.0m@ 2.5V WLCSP Package Dimensions Electrical Connection Taping Type: T/R Package :CSP JEITA, JEDEC :--- Minimum Packing Quantity:5000pcs. / reel

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History: WMO20P15TS | SLP10N70C | WMM28N60C4 | IPD640N06L | APT30M75BFLL | FMH09N90E | PSMN003-30P

 

 
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