HSCS2050 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSCS2050

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.8 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: WLCSP

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HSCS2050 datasheet

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HSCS2050

HSCS2050 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Features 2.5V Drive VSSS RSS(ON) Max IS Max Common-drain type 36.0m @ 4.5V Typical ESD Protection HBM Class 2 38.0m @ 4.0V 20V 6A 48.0m @ 3.1V 55.0m @ 2.5V WLCSP Package Dimensions Electrical Connection Taping Type T/R Absolute Maximum Ratings (TA=25 ) Package CSP JEITA, J

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HSCS2050

HSCS2052 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Features 2.5V Drive VSSS RSS(ON) Max IS Max Common-drain type 45.0m @ 4.5V ESD Protection 48.0m @ 4.0V 24V 6A 57.0m @ 3.1V 70.0m @ 2.5V WLCSP Package Dimensions Electrical Connection Taping Type T/R Package CSP JEITA, JEDEC --- Minimum Packing Quantity 5000pcs. / reel

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