HSCS2050 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSCS2050

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: WLCSP

Аналог (замена) для HSCS2050

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCS2050 даташит

 ..1. Size:858K  huashuo
 hscs2050.pdf pdf_icon

HSCS2050

HSCS2050 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Features 2.5V Drive VSSS RSS(ON) Max IS Max Common-drain type 36.0m @ 4.5V Typical ESD Protection HBM Class 2 38.0m @ 4.0V 20V 6A 48.0m @ 3.1V 55.0m @ 2.5V WLCSP Package Dimensions Electrical Connection Taping Type T/R Absolute Maximum Ratings (TA=25 ) Package CSP JEITA, J

 7.1. Size:861K  huashuo
 hscs2052.pdf pdf_icon

HSCS2050

HSCS2052 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Features 2.5V Drive VSSS RSS(ON) Max IS Max Common-drain type 45.0m @ 4.5V ESD Protection 48.0m @ 4.0V 24V 6A 57.0m @ 3.1V 70.0m @ 2.5V WLCSP Package Dimensions Electrical Connection Taping Type T/R Package CSP JEITA, JEDEC --- Minimum Packing Quantity 5000pcs. / reel

Другие IGBT... HSCB3010, HSCC2734, HSCC8204, HSCC8211, HSCC8233, HSCE2530, HSCE2631, HSCE6032, SI2302, HSCS2052, HSD6004, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85, HSH150N04, HSH15810, HSH190N03