Справочник MOSFET. HSCS2050

 

HSCS2050 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSCS2050
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP
 

 Аналог (замена) для HSCS2050

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCS2050 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  huashuo
 hscs2050.pdf pdf_icon

HSCS2050

HSCS2050 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Features 2.5V Drive VSSS RSS(ON) Max IS Max Common-drain type 36.0m@ 4.5V Typical ESD Protection HBM Class 2 38.0m@ 4.0V 20V 6A 48.0m@ 3.1V 55.0m@ 2.5V WLCSP Package Dimensions Electrical Connection Taping Type: T/R Absolute Maximum Ratings (TA=25) Package :CSP JEITA, J

 7.1. Size:861K  huashuo
 hscs2052.pdf pdf_icon

HSCS2050

HSCS2052 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Features 2.5V Drive VSSS RSS(ON) Max IS Max Common-drain type 45.0m@ 4.5V ESD Protection 48.0m@ 4.0V 24V 6A 57.0m@ 3.1V 70.0m@ 2.5V WLCSP Package Dimensions Electrical Connection Taping Type: T/R Package :CSP JEITA, JEDEC :--- Minimum Packing Quantity:5000pcs. / reel

Другие MOSFET... HSCB3010 , HSCC2734 , HSCC8204 , HSCC8211 , HSCC8233 , HSCE2530 , HSCE2631 , HSCE6032 , IRFZ46N , HSCS2052 , HSD6004 , HSD6016 , HSF10N65 , HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 .

History: NCEP095N10AG | SISS23DN | DJR0417 | RCJ100N25 | VTI640F | IRFZ44ELPBF | NP60N055KUG

 

 
Back to Top

 


 
.