HSCS2052 Todos los transistores

 

HSCS2052 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSCS2052
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSCS2052 Datasheet (PDF)

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HSCS2052

HSCS2052 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Features 2.5V Drive VSSS RSS(ON) Max IS Max Common-drain type 45.0m@ 4.5V ESD Protection 48.0m@ 4.0V 24V 6A 57.0m@ 3.1V 70.0m@ 2.5V WLCSP Package Dimensions Electrical Connection Taping Type: T/R Package :CSP JEITA, JEDEC :--- Minimum Packing Quantity:5000pcs. / reel

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HSCS2052

HSCS2050 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Features 2.5V Drive VSSS RSS(ON) Max IS Max Common-drain type 36.0m@ 4.5V Typical ESD Protection HBM Class 2 38.0m@ 4.0V 20V 6A 48.0m@ 3.1V 55.0m@ 2.5V WLCSP Package Dimensions Electrical Connection Taping Type: T/R Absolute Maximum Ratings (TA=25) Package :CSP JEITA, J

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IMW65R027M1H | CSD16410Q5A

 

 
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