HSM1562 Todos los transistores

 

HSM1562 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM1562
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSM1562 Datasheet (PDF)

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HSM1562

HSM1562 Dual N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 60 V The HSM1562 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 32 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 4.8 A The HSM1562 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

 8.1. Size:637K  huashuo
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HSM1562

HSM1564 Dual N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM1564 is the high cell density trenched N-V 60 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 13.5 m DS(ON),TYPconverter applications. I 8 A DThe HSM1564 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full funct

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History: MRF5003 | IRFR120TR | 4N65KG-T60-K | RQK0608BQDQS | CSD17309Q3 | AONS36316

 

 
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