HSM1564 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSM1564

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HSM1564 datasheet

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HSM1564

HSM1564 Dual N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM1564 is the high cell density trenched N- V 60 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 13.5 m DS(ON),TYP converter applications. I 8 A D The HSM1564 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full funct

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HSM1564

HSM1562 Dual N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 60 V The HSM1562 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 32 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 4.8 A The HSM1562 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

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