HSM1641 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSM1641
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSM1641

HSM1641 Datasheet (PDF)

..1. Size:909K huashuo
hsm1641.pdf

HSM1641 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM1641 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 40V 20m 9A high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the -40V 32m -9A synchronous buck converter applications. The HSM1641 meet the RoHS and Green Product requirement 10

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