HSM3903 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSM3903
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de HSM3903 MOSFET
HSM3903 Datasheet (PDF)
hsm3903.pdf

HSM3903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM3903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high cell density, which provide excellent RDSON and 30V 18m 10A gate charge for most of the synchronous buck -30V 30m -7.6A converter applications. The HSM3903 meet the RoHS and Green Product requiremen
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History: IRF7316 | MTDA0P10FP | NCEP033N10 | MTBA5C10AQ8 | IRFR214 | MTDK5S6R | NCE20P05J
History: IRF7316 | MTDA0P10FP | NCEP033N10 | MTBA5C10AQ8 | IRFR214 | MTDK5S6R | NCE20P05J



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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