HSM3903 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSM3903
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSM3903

HSM3903 Datasheet (PDF)

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hsm3903.pdf

HSM3903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM3903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high cell density, which provide excellent RDSON and 30V 18m 10A gate charge for most of the synchronous buck -30V 30m -7.6A converter applications. The HSM3903 meet the RoHS and Green Product requiremen

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