HSM4103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSM4103
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSM4103

HSM4103 Datasheet (PDF)

..1. Size:2144K huashuo
hsm4103.pdf

HSM4103 P-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -40 V The HSM4103 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 32 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -8.6 A The HSM4103 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

9.1. Size:785K huashuo
hsm4113.pdf

HSM4113 P-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4113 is the high cell density trenched P-VDS -40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 40 m converter applications. ID -7.5 A The HSM4113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

9.2. Size:2138K huashuo
hsm4115.pdf

HSM4115 P-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -40 V The HSM4115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 13 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -8.7 A The HSM4115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function relia

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Liste

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