HSM4805 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSM4805
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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HSM4805 Datasheet (PDF)
hsm4805.pdf
HSM4805 Dual P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSM4805 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 12 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -9 A The HSM4805 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function r
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Liste
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