HSP4048 Todos los transistores

 

HSP4048 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSP4048
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1119 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HSP4048 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  huashuo
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HSP4048

HSP4048 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 40 V 100% UIS Tested Advanced Trench Technology RDS(ON),max 1.8 m Low Gate Charge High Current Capability ID 210 A RoHS and Halogen-Free Compliant Applications TO-220 Pin Configuration SMPS Synchronous Rectification DC/DC Converters Or-ing Absolute

 9.1. Size:618K  huashuo
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HSP4048

HSP4024A N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP4024A is the high cell density trenched N-VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 3.3 m converter applications. ID 165 A The HSP4024A meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

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History: ISL9N303AS3 | FDMS3624S | STH15810-2 | IPI070N08N3G | IPB039N10N3G | IPS0151S | HMS11N70F

 

 
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