HSS4002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSS4002
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSS4002

HSS4002 Datasheet (PDF)

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hss4002.pdf

HSS4002 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 40 V The HSS4002 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 32 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 5 A The HSS4002 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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Liste

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