HSS4002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSS4002

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HSS4002 datasheet

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HSS4002

HSS4002 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 40 V The HSS4002 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 32 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 5 A The HSS4002 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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