HSSC3134 Todos los transistores

 

HSSC3134 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSSC3134
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.77 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT723
 

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HSSC3134 Datasheet (PDF)

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HSSC3134

HSSC3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSSC3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),max 370 m power switching and load switch applications. ID 0.77 A The HSSC3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

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HSSC3134

HSSC3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSC3139 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 400 m converter applications. ID -0.65 A The HSSC3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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History: PHP18NQ10T | VBA4317 | 2SK4076-ZK

 

 
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