HSU20N15A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU20N15A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm

Encapsulados: TO252

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HSU20N15A datasheet

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HSU20N15A

HSU20N15A N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSU20N15A is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell RDS(ON),typ 47 m density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck ID 23 A converter applications. The HSU20N15A meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS g

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