HSU20N15A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSU20N15A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 18.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSU20N15A
HSU20N15A Datasheet (PDF)
hsu20n15a.pdf
HSU20N15A N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSU20N15A is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell RDS(ON),typ 47 m density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck ID 23 A converter applications. The HSU20N15A meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS g
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