HSU20N15A Todos los transistores

 

HSU20N15A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSU20N15A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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HSU20N15A Datasheet (PDF)

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HSU20N15A

HSU20N15A N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSU20N15A is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell RDS(ON),typ 47 m density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck ID 23 A converter applications. The HSU20N15A meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS g

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History: FQP32N12V2 | SI1469DH | OSG65R380FF | AP03N70H-H | BLS6G2731S-130 | 8N65KG-TF2-T | DMN66D0LT

 

 
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