HSU3103 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU3103

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 194 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO252

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HSU3103 datasheet

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HSU3103

HSU3103 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -30 V DS The HSU3103 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 20 m DS(ON),max gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -35 A D The HSU3103 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with full f

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