HSU3103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSU3103
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 194 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de HSU3103 MOSFET
HSU3103 Datasheet (PDF)
hsu3103.pdf
HSU3103 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -30 V DS The HSU3103 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 20 m DS(ON),max gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -35 A D The HSU3103 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with full f
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Liste
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