HSU3103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSU3103
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 34.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 12.5 nC
Tiempo de subida (tr): 11.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 194 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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HSU3103 Datasheet (PDF)
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HSU3103 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -30 V DS The HSU3103 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 20 m DS(ON),max gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -35 A D The HSU3103 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with full f
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History: AFP3804
