HSU3103 Todos los transistores

 

HSU3103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSU3103
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 194 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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HSU3103 Datasheet (PDF)

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HSU3103

HSU3103 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -30 V DS The HSU3103 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 20 m DS(ON),max gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -35 A D The HSU3103 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with full f

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History: UF630L-TN3-R | RQJ0204XGDQA | IRFSL9N60A

 

 
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