HSU3903 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSU3903
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSU3903

HSU3903 Datasheet (PDF)

..1. Size:910K huashuo
hsu3903.pdf

HSU3903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU3903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high cell density, which provide excellent RDSON and 30V 18m 30A gate charge for most of the synchronous buck -30V 30m -24A converter applications. The HSU3903 meet the RoHS and Green Product requirement 1

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Liste

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