HSU4903 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSU4903
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSU4903
HSU4903 Datasheet (PDF)
hsu4903.pdf
HSU4903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU4903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 40V 30m 23A high cell density, which provide excellent -40V 45m -20A RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSU4903 meet the RoHS and Green Product requirement
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Liste
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