HSU4903 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU4903

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TO252-4

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HSU4903 datasheet

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HSU4903

HSU4903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU4903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 40V 30m 23A high cell density, which provide excellent -40V 45m -20A RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSU4903 meet the RoHS and Green Product requirement

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