HSU4903 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSU4903
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4
- Selección de transistores por parámetros
HSU4903 Datasheet (PDF)
hsu4903.pdf

HSU4903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU4903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 40V 30m 23A high cell density, which provide excellent -40V 45m -20A RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSU4903 meet the RoHS and Green Product requirement
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: CHM50N06NGP | ET6309 | NCEP039N10D | IRF8852 | AP2312GN | IXTQ44N50P | SSF2307B
History: CHM50N06NGP | ET6309 | NCEP039N10D | IRF8852 | AP2312GN | IXTQ44N50P | SSF2307B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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