HSU4903 Todos los transistores

 

HSU4903 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSU4903
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4
 

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HSU4903 Datasheet (PDF)

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HSU4903

HSU4903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU4903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 40V 30m 23A high cell density, which provide excellent -40V 45m -20A RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSU4903 meet the RoHS and Green Product requirement

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