HSU6901 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSU6901
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.56 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSU6901

HSU6901 Datasheet (PDF)

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hsu6901.pdf

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8.1. Size:1013K huashuo
hsu6903.pdf

HSU6903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU6903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 60V 40m 20A high cell density, which provide excellent RDSON -60V 100m -12A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSU6903 meet the RoHS and Green Product requ

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Liste

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