HSU6901 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU6901

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 34.7 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 23 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 12.56 nC

Tiempo de elevación (tr): 14.2 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 86 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.032 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252-4

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HSU6901 Datasheet (PDF)

0.1. hsu6901.pdf Size:911K _huashuo

HSU6901 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU6901 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 60V 32m 23A high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous -60V 70m -18A buck converter applications . The HSU6901 meet the RoHS and Green Product requirem

8.1. hsu6903.pdf Size:1013K _huashuo

HSU6903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU6903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 60V 40m 20A high cell density, which provide excellent RDSON -60V 100m -12A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSU6903 meet the RoHS and Green Product requ

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Liste

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