HSU6901 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSU6901
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Encapsulados: TO252-4
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HSU6901 datasheet
hsu6901.pdf
HSU6901 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU6901 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 60V 32m 23A high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous -60V 70m -18A buck converter applications . The HSU6901 meet the RoHS and Green Product requirem
hsu6903.pdf
HSU6903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU6903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 60V 40m 20A high cell density, which provide excellent RDSON -60V 100m -12A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSU6903 meet the RoHS and Green Product requ
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