HSW6811 Todos los transistores

 

HSW6811 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSW6811

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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HSW6811 datasheet

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HSW6811

HSW6811 Dual P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSW6811 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),typ 115 m and load switch applications. ID -2 A The HSW6811 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appro

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HSW6811

HSW6800 Dual N-CH Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW6800 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),max 45 m and load switch applications. ID 4 A The HSW6800 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved

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