HSW6811 Todos los transistores

 

HSW6811 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSW6811
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
 

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HSW6811 datasheet

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HSW6811

HSW6811 Dual P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSW6811 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),typ 115 m and load switch applications. ID -2 A The HSW6811 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appro

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HSW6811

HSW6800 Dual N-CH Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW6800 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),max 45 m and load switch applications. ID 4 A The HSW6800 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved

Otros transistores... HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , TK10A60D , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , FTB07N08N , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 .

History: RUH85230S

 

 
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